Emitter common (dual digital transistors) The part UMG11N is manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Part Number:** UMG11N  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Drain Current (I_D):** 11A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced power loss.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-speed switching applications.  
- **Low Threshold Voltage:** Ensures compatibility with low-voltage drive circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based solely on the available knowledge base for the UMG11N MOSFET by ROHM.

Emitter common (dual digital transistors)