General purpose (dual digital transistors) The UMG10N is a power MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** UMG10N  
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 20ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The UMG10N is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance for improved efficiency  
- High voltage capability (100V)  
- Low gate charge for efficient drive  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed application notes or additional parameters, refer to ROHM's official datasheet.