IC Phoenix logo

Home ›  U  › U16 > UMD6N

UMD6N from DIODES

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

UMD6N

Manufacturer: DIODES

NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
UMD6N DIODES 2564 In Stock

Description and Introduction

NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) The UMD6N is a Schottky Rectifier manufactured by DIODES. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_RRM):** 60V  
- **Average Forward Current (I_F(AV)):** 6A  
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM):** 150A  
- **Forward Voltage Drop (V_F):** 0.55V (typical at 6A)  
- **Reverse Leakage Current (I_R):** 0.5mA (typical at 60V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +125°C  
- **Storage Temperature (T_STG):** -65°C to +150°C  

### **Description:**
The UMD6N is a Schottky barrier rectifier designed for high-efficiency, low-power loss applications. It is optimized for switching power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.

### **Features:**
- **Low Forward Voltage Drop** – Enhances efficiency in power applications.  
- **High Surge Current Capability** – Withstands high transient currents.  
- **Fast Switching Speed** – Reduces switching losses in high-frequency circuits.  
- **Guard Ring for Enhanced Reliability** – Protects against reverse voltage spikes.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant** – Environmentally friendly.  

The device is available in a **SMB (DO-214AA)** surface-mount package.  

For detailed electrical characteristics and mechanical dimensions, refer to the official datasheet from DIODES.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
UMD6N ROHM 6000 In Stock

Description and Introduction

NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) **Manufacturer:** ROHM  
**Part Number:** UMD6N  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.06Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Used in DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

(Note: Verify datasheet for exact values as specifications may vary.)

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips