General purpose (dual digital transistors) The part UMD3N is manufactured by ROHM. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** UMD3N  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Package:** SSM (Small Surface Mount)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 3.5A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (total)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) / 2.5V (max)  

### **Descriptions:**
- The UMD3N is a dual N-channel MOSFET in a compact SSM package, designed for high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, load switching, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact SSM package for space-saving designs.  
- Suitable for battery-powered applications.  
- Dual N-channel configuration for balanced circuit design.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed and updated specifications.)

General purpose (dual digital transistors) Here are the factual details about part **UMD3N** from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer Specifications**  
- **Manufacturer:** Texas Instruments (TI)  
- **Part Number:** UMD3N  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 100A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **RDS(ON) (Max):** 3.0 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions**  
- The UMD3N is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification circuits.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package for efficient thermal performance.  

### **Features**  
- **Low RDS(ON):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

Let me know if you need further details.

General purpose (dual digital transistors) Here are the factual details about part **UMD3N** from manufacturer **ROHM**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Part Number:** UMD3N  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 3.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  

### **Descriptions:**
- The **UMD3N** is a low-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high-speed switching performance.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design for PCB layouts.  
- **Low Threshold Voltage:** Compatible with low-voltage drive circuits.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards (if applicable).  

For further technical details, refer to the official **ROHM datasheet** for **UMD3N**.