Power management (dual digital transistors) Here are the factual details about part **UMD12 N TR** from manufacturer **ROHM**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** UMD12 N TR  
- **Type:** Dual Common Emitter NPN Transistor Array  
- **Package:** SC-74 (SOT-457)  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
  - Collector Current (IC): 100mA (per transistor)  
  - Total Power Dissipation (PT): 200mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - DC Current Gain (hFE): 100 to 400  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.2V (max) at IC = 10mA  
  - Transition Frequency (fT): 250MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual NPN Transistor Array:** Contains two independent NPN transistors in a single package.  
- **Common Emitter Configuration:** Suitable for switching and amplification applications.  
- **High Voltage and Current Capability:** Supports up to 50V and 100mA per transistor.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **Compact Package:** SC-74 (SOT-457) surface-mount package for space-saving designs.  
- **Applications:**  
  - Signal amplification  
  - Switching circuits  
  - Driver stages  
  - General-purpose transistor applications  

This information is based on ROHM's official datasheet for the **UMD12 N TR**.