Power management (dual digital transistors) Here are the factual details about part **UMD12 N TR** from manufacturer **ROHM** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** UMD12 N TR  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Type:** Dual Common Emitter NPN Transistor Array  
- **Package:** SC-74 (SOT-457)  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
  - Collector Current (IC): 100mA (per transistor)  
  - Total Power Dissipation (PT): 200mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - DC Current Gain (hFE): 100 to 400 (at IC = 1mA, VCE = 6V)  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.25V (max) at IC = 10mA, IB = 1mA  
  - Transition Frequency (fT): 200MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Description:** The UMD12 N TR is a dual NPN transistor array in a compact SC-74 package, designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- **Features:**  
  - Two independent NPN transistors in a single package.  
  - High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
  - Low saturation voltage for efficient switching.  
  - Suitable for high-density PCB designs due to small package size.  
  - Commonly used in consumer electronics, industrial controls, and signal processing circuits.  

This information is strictly based on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.