Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors The part **UMC3NT1G** is manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Part Number:** UMC3NT1G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (Id):** 3A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1.25W  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 50mΩ (max) at Vgs = 10V  
- **Threshold Voltage (Vgs(th)):** 1V (min) – 2.5V (max)  
- **Package:** SOT-23 (SC-59)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **UMC3NT1G** is a **N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)** designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for **power management, load switching, and DC-DC conversion** in portable and battery-powered devices.  
- The **SOT-23 package** makes it suitable for space-constrained applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (Rds(on))** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge** for improved efficiency.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **AEC-Q101 Qualified** for automotive applications (if applicable).  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors

Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors The part **UMC3NT1G** is manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** 30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** 1.3A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 1.5 Ohm @ 500mA, 10V  
- **Vgs(th) (Max) @ Id:** 1.5V @ 250µA  
- **Gate Charge (Qg) @ Vgs:** 1.8nC @ 4.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF @ 10V  
- **Power Dissipation (Max):** 300mW  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package / Case:** SOT-23-3  

### **Descriptions:**  
- A small-signal MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Suitable for power management, load switching, and amplification in portable devices.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with low-voltage logic.  
- Fast switching speed.  
- Compact SOT-23-3 package for space-constrained applications.  
- RoHS compliant.  

For detailed datasheets, refer to ON Semiconductor's official documentation.

Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors