Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors The **UMC2NT1G** is a **NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)** manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA (continuous)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (3-pin surface mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power and high-efficiency circuits.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **ON Semiconductor datasheet**.