General purpose (dual digital transistors) **Part UMB6N Manufacturer: ROHM**  
### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-323 (Miniature Surface Mount)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 0.5A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 20A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (Typical at 0.5A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5µA (Typical at 60V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- **Function:** Used for rectification, switching, and protection in circuits.  
- **Material:** Utilizes Schottky barrier structure for low forward voltage and fast switching.  
### **Features:**  
- **Low Forward Voltage:** Reduces power loss.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact Package:** SOD-323 for space-saving designs.  
- **High Reliability:** Robust performance under varying conditions.  
(Source: ROHM datasheet for UMB6N.)