**Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** SOT-363 (UMT4)  

**Descriptions and Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Compact SOT-363 package for space-saving designs.  
- Suitable for switching applications in power management circuits.  
- RoHS compliant.  

(Note: Ensure cross-verification with the latest datasheet for accuracy.)