PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Here are the factual details about part **UMB2N** from manufacturer **ROHM** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** UMB2N  
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Type:** Dual Common Cathode Schottky Barrier Diode  
- **Package:** UMD2 (Miniature Surface Mount)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 20V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 0.5A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 20A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage (VF):** 0.38V (Typical at 0.5A)  
- **Reverse Current (IR):** 0.1µA (Typical at VR = 20V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### **Descriptions:**  
- **Function:** A dual Schottky barrier diode with common cathode configuration, designed for high-speed switching applications.  
- **Applications:** Used in power supply circuits, reverse current protection, and low-loss rectification.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures high efficiency in power conversion.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact Package:** UMD2 package allows space-saving PCB design.  
- **Common Cathode Configuration:** Simplifies circuit design in certain applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.