General purpose (dual digital transistors) **Part UMB1N Manufacturer: ROHM**  
### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (Typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.1mA (Maximum at 40V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOD-123  
### **Descriptions and Features:**  
- **Low Forward Voltage:** Ensures high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency circuits.  
- **High Surge Current Capability:** Robust performance under transient conditions.  
- **Compact Package (SOD-123):** Space-saving design for modern electronics.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
This diode is commonly used in power supply circuits, reverse polarity protection, and DC-DC converters.