General purpose (dual digital transistors) The part UMB11N is manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Part Number:** UMB11N  
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 11A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 12mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  

### **Descriptions:**
The UMB11N is an N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor drivers, and power management circuits.  

### **Features:**
1. **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
2. **High-Speed Switching:** Enhances efficiency in switching applications.  
3. **Low Threshold Voltage:** Compatible with low-voltage drive circuits.  
4. **SOP-8 Package:** Compact and suitable for space-constrained designs.  
5. **Wide Operating Voltage Range:** Supports various power supply applications.  

This information is strictly based on ROHM's provided specifications for the UMB11N MOSFET.