### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** UMD3 (Miniature Surface Mount Type)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Average Rectified Current (IO):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.5V (Typical at IF = 1A)  
- **Reverse Current (IR):** 0.1mA (Maximum at VR = 30V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Function:** Used for rectification, reverse current prevention, and high-speed switching.  
- **Material:** Utilizes Schottky barrier structure for low forward voltage and fast switching.  
- **Applications:** Power supply circuits, DC-DC converters, and reverse polarity protection.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage:** Reduces power loss.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact Package (UMD3):** Ideal for space-constrained designs.  
- **High Surge Current Capability:** Ensures reliability under transient conditions.  

(Source: ROHM official datasheet for UMA3N.)

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (Drain-Source, VDS):** 30V  
- **Current (Drain, ID):** 6.7A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **RDS(ON) (Max):** 45mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (Max)  
- **Package:** SOT-23  

### **Description:**  
The **UMA3N** is an N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management and load switching.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage  
- Low on-resistance (RDS(ON))  
- Fast switching speed  
- Small SOT-23 package for space-saving designs  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official DIODES documentation.