### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 5.5mΩ (max) at V_GS = 4.5V  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed.  
- RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **UES2603** MOSFET.