Power transistor for low frequency applications **Part Number:** TTB002  
**Manufacturer:** TOSHIBA  
### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Collector Current (IC):** 1A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1W  
- **Gain Bandwidth Product (fT):** 150MHz  
- **Package Type:** TO-92  
### **Descriptions:**  
The TTB002 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications. It is suitable for low-power circuits and offers reliable performance in various electronic devices.  
### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Compact TO-92 package for easy mounting  
- Suitable for audio amplification and signal processing  
For detailed electrical characteristics, refer to the official TOSHIBA datasheet.