### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -230V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -230V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -15A  
- **Collector Dissipation (PC):** 130W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 55 (min) at IC = -5A, VCE = -5V  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage, high-current switching and amplification applications.  
- Suitable for power supply circuits, motor control, and industrial applications.  
- Encased in a TO-3P(N) package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (VCEO = -230V).  
- High current capability (IC = -15A).  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  

(Source: Toshiba Semiconductor Datasheet)