### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Collector Current (IC):** 1.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Package Type:** TO-92 (Plastic Encapsulation)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current gain (hFE) for better signal amplification.  
- Suitable for use in consumer electronics, power management circuits, and audio amplifiers.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  

For exact performance characteristics, refer to the official TOSHIBA datasheet.