Twin Build in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier **Part Number:** TBB1002  
**Manufacturer:** Renesas/Hitachi (Renesas Electronics Corporation, formerly Hitachi)  

### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package:** SOT-89 (Surface-Mount)  
- **Polarity:** NPN  
- **Frequency Range:** Up to 1 GHz  
- **Power Output:** Medium Power  
- **Voltage Rating:** Typically 12V (Collector-Emitter Voltage, V_CE)  
- **Current Rating:** Moderate (exact value depends on application conditions)  
- **Gain (h_FE):** Medium to High (varies with biasing)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for RF amplification in wireless communication applications.  
- Suitable for use in VHF/UHF bands (e.g., FM radio, mobile devices).  
- Low noise figure for improved signal clarity.  
- High linearity for stable performance in amplification circuits.  
- Compact SOT-89 package for space-constrained designs.  
- Compatible with automated PCB assembly processes.  

(Note: Exact electrical characteristics may vary; always refer to the datasheet for detailed specs.)

Twin Build in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier