60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET The TSM2N7000CTA3 is a MOSFET manufactured by TS (Taiwan Semiconductor). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 200mA  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 200mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 3pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TSM2N7000CTA3 is a small-signal MOSFET designed for low-power switching applications. It features low threshold voltage and fast switching characteristics, making it suitable for use in portable electronics, signal switching, and load control circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- Fast switching speed  
- ESD protection  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in SOT-23 package  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.