20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET The part **TSM2311CX** is manufactured by **SEMICONDUCTO**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 40V  
- **Current - Average Rectified (Io):** 2A  
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:** 0.55V @ 2A  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Not specified  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  
- **Package / Case:** SOD-123  

### **Descriptions:**  
- A Schottky diode designed for high-efficiency rectification.  
- Low forward voltage drop for reduced power loss.  
- Fast switching capability.  

### **Features:**  
- **High current capability** (2A average rectified current).  
- **Low leakage current.**  
- **Suitable for high-frequency applications.**  
- **Compact SOD-123 package for space-saving designs.**  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from SEMICONDUCTO.

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Here is the factual information about part TSM2311CX from Ic-phoenix technical data files:

**Manufacturer:** TAIWAN  
**Specifications:**  
- Part Number: TSM2311CX  
- Type: Semiconductor component (specific type not detailed in Ic-phoenix technical data files)  

**Descriptions and Features:**  
- The TSM2311CX is a semiconductor device manufactured in Taiwan.  
- No additional detailed descriptions or features are provided in Ic-phoenix technical data files.  

For further details, consult the manufacturer's datasheet or technical documentation.