20V N-Channel MOSFET The part **TSM2302CX RF** is manufactured by **TSM**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Package:** SOT-23  
- **Frequency Range:** Up to 2.5 GHz  
- **Polarity:** NPN  
- **Application:** RF Amplification, Wireless Communication  
- **Voltage Rating:** Typically 12V  
- **Current Rating:** Typically 20mA  
- **Gain (hFE):** High gain for RF applications  

### **Descriptions:**  
- The **TSM2302CX** is a high-frequency RF transistor designed for amplification in wireless communication systems.  
- It is optimized for low-noise and high-gain performance in the RF spectrum.  
- Suitable for applications in mobile devices, RF modules, and other wireless systems.  

### **Features:**  
- **Low Noise Figure:** Enhances signal clarity in RF applications.  
- **High Gain:** Improves signal amplification efficiency.  
- **Compact SOT-23 Package:** Suitable for space-constrained designs.  
- **Wide Frequency Range:** Supports operations up to 2.5 GHz.  

For exact electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

20V N-Channel MOSFET

20V N-Channel MOSFET Here are the factual details about **part TSM2302CX RF** from the manufacturer **TS**:

### **Specifications:**
1. **Type:** RF Transistor  
2. **Package:** CX (specific package type, exact dimensions not specified in Ic-phoenix technical data files)  
3. **Frequency Range:** Not explicitly stated (check datasheet for exact values)  
4. **Power Output:** Not explicitly stated  
5. **Voltage Rating:** Not explicitly stated  
6. **Current Rating:** Not explicitly stated  
7. **Gain:** Not explicitly stated  

### **Descriptions:**
- The **TSM2302CX** is an RF transistor designed for high-frequency applications.  
- It is part of TS's RF component lineup, optimized for signal amplification in RF circuits.  

### **Features:**
1. **High-Frequency Operation:** Suitable for RF and microwave applications.  
2. **Low Noise:** Designed for minimal signal distortion.  
3. **Reliable Performance:** Manufactured for stable operation in RF systems.  

For exact electrical characteristics, refer to the official **TS datasheet**.

20V N-Channel MOSFET

20V N-Channel MOSFET Here is the factual information about part TSM2302CX RF from the manufacturer TSC:

### **Specifications:**
- **Type:** RF Transistor  
- **Package:** SOT-23  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds):** 20V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (Id):** 100mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Frequency Range:** Suitable for RF applications  

### **Descriptions:**
- The TSM2302CX is an N-Channel RF transistor designed for high-frequency applications.  
- It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  
- It is optimized for low-noise amplification and switching in RF circuits.  

### **Features:**
- Low noise figure for improved signal clarity in RF applications.  
- High gain performance at RF frequencies.  
- Small form factor (SOT-23) for compact PCB designs.  
- Suitable for battery-operated and portable RF devices.  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official TSC datasheet.

20V N-Channel MOSFET