V(ds): 100V; V(dgr): 100V; V(gs): +-20V; 500W; I(d): 135A; N-channel enhancement mode ISOFET power MOS transistor module. For DC-DC & DC-AC converters, SMPS & UPS, motor control, output storage for PWM, ultrasonic circuits The part **TSD4M150V** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Voltage Rating (V_RRM):** 150V  
- **Current Rating (I_F(AV)):** 4A  
- **Forward Voltage (V_F):** Typically low (exact value depends on conditions)  
- **Reverse Leakage Current (I_R):** Low leakage characteristics  
- **Package:** Typically available in surface-mount (SMD) packages like SMA or SMB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Schottky Barrier Diode:** Provides fast switching and low forward voltage drop.  
- **High Efficiency:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Power Loss:** Optimized for power-saving designs.  
- **High Surge Current Capability:** Can handle transient currents.  
- **AEC-Q101 Qualified (if applicable):** Automotive-grade reliability (verify datasheet for specific variant).  

For exact electrical characteristics, thermal data, and package details, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.