High Voltage NPN Transistor The part TS13009CZ is manufactured by ONDUC. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** High Voltage NPN Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 9V  
- **Collector Current (Ic):** 12A  
- **Peak Collector Current (Icm):** 24A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 100W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 8 to 40 (at Ic = 6A, Vce = 5V)  

### **Description:**
The TS13009CZ is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power switching applications. It is commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits due to its high voltage and current handling capabilities.

### **Features:**
- High voltage capability  
- High current handling  
- Fast switching speed  
- Low saturation voltage  
- Robust construction for reliability in demanding applications  

This information is strictly based on the available technical data for the TS13009CZ from ONDUC.