Single Phase 10.0 Amps. Glass Passivated Bridge Rectifiers The TS10B06G is a semiconductor device, specifically a Schottky barrier diode, manufactured by Toshiba.  

**Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (at 1A)  
- **Reverse Current (IR):** 0.5mA (at VR = 60V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  
- **Package:** SOD-123FL  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low forward voltage drop for improved efficiency.  
- Compact SOD-123FL package for space-saving PCB design.  
- Suitable for rectification, power supply circuits, and protection circuits.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and mechanical dimensions, refer to the official Toshiba datasheet.