TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES The TPI8011N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) minimizes conduction losses.  
- High current handling capability for demanding applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- Robust thermal performance due to the TO-220 package.  
- Avalanche energy rated for improved reliability in harsh conditions.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the TPI8011N MOSFET.

TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES