Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TPH8R80ANH** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.8Ω (max) @ V_GS = -10V  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, power management, and motor control.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official TOSHIBA datasheet.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)