Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TPH7R506NH** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value depends on conditions)  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically high (exact value depends on package and thermal conditions)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** Low (specific value depends on gate-source voltage, e.g., ~7.0mΩ at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **Package:** TO-220 (or similar power package)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(ON))** minimizes conduction losses.  
- **Fast switching performance** suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  
- **Avalanche energy rated** for improved ruggedness in inductive load applications.  
- **Optimized gate charge (Q_g)** for reduced switching losses.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For exact datasheet details, refer to **TOSHIBA’s official documentation**.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)