Power Device High Voltage Monolithic Silicon Power IC The TPD4111K is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.03Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The TPD4111K is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for DC-DC converters, motor drivers, and power management circuits.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance in power applications  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  

For exact application details or additional parameters, refer to Toshiba’s official datasheet.