Power MOSFET (N-ch dual) The TPCT4203 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics:**  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 400 (at VCE = -5V, IC = -100mA)  
- **Collector Cut-off Current (ICBO):** -0.1µA (max) (at VCB = -30V, IE = 0)  
- **Emitter Cut-off Current (IEBO):** -0.1µA (max) (at VEB = -5V, IC = 0)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (min) (at VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz)  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for general-purpose amplification and switching applications  

### **Package:**  
- **Type:** TO-92MOD (similar to standard TO-92 but with a different pinout)  
- **Pin Configuration:**  
  1. Emitter (E)  
  2. Collector (C)  
  3. Base (B)  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the TPCT4203 transistor.