Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) Lithium Ion Battery Applications The TPCS8208 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 28mΩ (max) at V_GS = -10V  
  - 35mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The TPCS8208 is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- Suitable for load switching and power distribution applications.  

For detailed electrical characteristics, refer to Toshiba's official datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) Lithium Ion Battery Applications The TPCS8208 is a semiconductor component manufactured by Toshiba. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 35mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions:**  
- The TPCS8208 is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switches.  

For further details, refer to Toshiba’s official datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) Lithium Ion Battery Applications The TPCS8208 is a P-channel MOSFET manufactured by TOSHIBA-PB. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 45mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions:**
- The TPCS8208 is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high-speed switching performance.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switches.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching characteristics.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- Suitable for battery-powered applications.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official TOSHIBA-PB datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) Lithium Ion Battery Applications The part **TPCS8208** is a **high-side power switch IC** manufactured by **Toshiba**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** High-side power switch  
- **Output Current:** 1.5A (max)  
- **Operating Voltage Range:** 4.5V to 5.5V  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 80mΩ (typical)  
- **Protection Features:**  
  - Overcurrent protection (OCP)  
  - Thermal shutdown (TSD)  
  - Undervoltage lockout (UVLO)  
- **Package:** HSOP8 (Power-Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **USB power distribution** and **hot-swap applications**.  
- Provides **controlled power switching** with built-in protection mechanisms.  
- Suitable for **portable devices, USB hubs, and power management systems**.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for efficient power delivery.  
- **Fast Turn-On/Turn-Off** for quick response.  
- **Logic-Level Control Input** (compatible with 3.3V/5V microcontrollers).  
- **Small Footprint** (HSOP8 package) for space-constrained designs.  

This information is based on Toshiba's official documentation for the **TPCS8208**.