TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type The TPCP8F01 is a P-channel power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Description:**  
The TPCP8F01 is a P-channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high efficiency. It is suitable for switching and power control in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- High-speed switching performance  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs  
- Suitable for battery protection, load switches, and power management  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official TOSHIBA datasheet.