Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPCP8004** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 45mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Description:**  
The **TPCP8004** is a P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High-speed switching capability  
- Compact and efficient package (TO-220F)  
- Suitable for power management and switching circuits  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.