TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS IV) The part TPCP8002 is manufactured by TOSHIBA. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TPCP8002  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses with R_DS(on) as low as 2.5mΩ.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-efficiency power applications.  
- **Robust Design:** High power dissipation capability (100W) and rugged construction.  
- **Wide Operating Temperature:** Functions reliably from -55°C to +150°C.  
- **Standard TO-220AB Package:** Easy to mount and suitable for various power applications.  

This information is strictly based on the available technical data for TPCP8002 by TOSHIBA.