Power MOSFET (N-ch dual) The part **TPCL4203** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
- **Application:** Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W (at Ta=25°C)  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **TPCL4203** is a **PNP bipolar junction transistor (BJT)** housed in a **TO-92MOD** package.  
- It is suitable for low-power amplification and switching circuits.  

### **Features:**  
- **High current gain (hFE):** Ensures efficient signal amplification.  
- **Low saturation voltage:** Enhances switching performance.  
- **Compact TO-92MOD package:** Suitable for space-constrained applications.  

For exact performance characteristics, refer to **TOSHIBA's official datasheet**.

Power MOSFET (N-ch dual)