Power MOSFET (P-ch single) Here are the factual details about the TPCF8105 from Toshiba based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Toshiba  

### **Part Number:**  
TPCF8105  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
TO-220F (Fully Molded)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Fully molded package for improved thermal performance  
- Suitable for power management applications  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TPCF8105. Let me know if you need further details.