Power MOSFET (P-ch single) The part **TPCC8105** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Drain Current (I_D):** -8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Description:**  
The **TPCC8105** is a P-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high-speed switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- High-speed switching capability  
- Compact and efficient design  
- Suitable for power control in various electronic circuits  

For detailed datasheets or application notes, refer to **TOSHIBA's official documentation**.