Power MOSFET (P-ch single) The part **TPCC8104** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TPCC8104  
- **Type:** Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  

### **Descriptions:**  
- The TPCC8104 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Eliminates the need for an insulating sheet when mounted on a heatsink.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Wide Gate-Source Voltage Range:** Allows compatibility with various drive circuits.  

For exact application details, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.