Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPCA8A04-H** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 35mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions:**  
- A high-performance P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Suitable for low-voltage, high-efficiency power management.  
- Features low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design for PCB layouts.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  

For exact application details, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)