Power MOSFET (P-ch single) The TPCA8120 is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET module  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 1200V  
- **Current Rating (I_D):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TPCA8120 is a high-voltage, high-current power MOSFET module designed for switching applications in power electronics. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High-speed switching performance  
- Built-in fast recovery diode for improved efficiency  
- High voltage capability (1200V)  
- Robust and reliable design for industrial applications  

This information is based on Toshiba's official documentation for the TPCA8120. For detailed application notes or additional parameters, refer to the datasheet.