Power MOSFET (P-ch single) The TPCA8109 is a P-channel MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20 V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 30 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0 V to -2.5 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPCA8109 is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switches.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures reduced power loss.  
- **Compact Package:** Available in a small surface-mount package (SOP-8).  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official TOSHIBA datasheet.

Power MOSFET (P-ch single)