Power MOSFET (P-ch single) The TPCA8106 is a high-performance, high-voltage, high-current N-channel MOSFET. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The TPCA8106 is designed for high-voltage switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Power MOSFET (P-ch single) The TPCA8106 is a P-channel MOSFET manufactured by TOSHIBA-PB. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 40 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0 V to -2.5 V  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to 150°C  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions:**  
- A P-channel power MOSFET designed for switching applications.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switches.  
- Low on-resistance for efficient power handling.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design.  
- **High Reliability:** Robust construction for stable performance.  

For detailed datasheet information, refer to TOSHIBA-PB's official documentation.

Power MOSFET (P-ch single) The TPCA8106 is a high-side power switch IC manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** High-side power switch IC  
- **Operating Voltage Range:** 4.5V to 5.5V  
- **Output Current:** 1.5A (maximum)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 80mΩ (typical)  
- **Protection Features:** Overcurrent protection (OCP), thermal shutdown (TSD), and undervoltage lockout (UVLO)  
- **Package Type:** HSOP8 (Power-Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**  
- The TPCA8106 is designed for high-side power switching applications, providing efficient power management with built-in protection features.  
- It is suitable for USB power distribution, hot-swap applications, and other power control systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- Fast response overcurrent protection  
- Thermal shutdown for safe operation  
- Undervoltage lockout prevents malfunction at low voltages  
- Compact HSOP8 package for space-saving designs  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.