Power MOSFET (P-ch single) The TPCA8105 is a transistor manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Transistor  
- **Package:** SOT-89  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Collector Dissipation (PC):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 560 (at IC = 0.1A, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (Typical)  

### **Descriptions:**  
- The TPCA8105 is a high-voltage, high-current NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in an SOT-89 package, which provides good thermal performance and compact size.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for applications requiring up to 50V.  
- **High Current Handling:** Supports up to 1A collector current.  
- **Good Linearity:** Offers a wide range of DC current gain (hFE).  
- **Compact Package:** SOT-89 package ensures space efficiency.  
- **High Transition Frequency:** Enables use in high-frequency applications.  

This information is sourced from Toshiba's official datasheet for the TPCA8105 transistor.