Power MOSFET (P-ch single) The TPCA8104 is a high-power RF transistor designed for applications in the 1.8 GHz to 2.7 GHz frequency range. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Toshiba  

### **Key Specifications:**  
- **Frequency Range:** 1.8 GHz – 2.7 GHz  
- **Output Power (Pout):** 45 W (typical)  
- **Power Gain (Gp):** 14 dB (typical)  
- **Drain Efficiency (ηD):** 40% (typical)  
- **Supply Voltage (VDD):** 28 V  
- **Package Type:** Plastic Molded (TO-270)  

### **Descriptions:**  
- The TPCA8104 is a high-efficiency RF power transistor optimized for base station and other wireless infrastructure applications.  
- It is designed for use in Class AB amplifiers, providing high linearity and efficiency.  
- The device is suitable for use in W-CDMA, LTE, and other broadband wireless systems.  

### **Features:**  
- High power output (45 W) in the 1.8 GHz – 2.7 GHz range  
- Excellent power gain (14 dB)  
- High drain efficiency (40%)  
- Internal matching for simplified circuit design  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.

Power MOSFET (P-ch single)