Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8068-H is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) – 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Description:**
The TPCA8068-H is a high-power N-channel MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for power switching in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power management systems.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (80A continuous, 320A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics due to TO-220SIS package  
- Suitable for high-efficiency power applications  

This information is based on TOSHIBA's official datasheet for the TPCA8068-H. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.