Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8065-H is a transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Toshiba**  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Use:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 12V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 12V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **Transition Frequency (fT):** 8GHz (typical)  
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)  
- **Gain (hFE):** 20-200 (at VCE = 2V, IC = 5mA)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-frequency amplification in RF circuits.  
- Suitable for low-noise applications in communication devices.  
- Compact and efficient for small-signal amplification.  

### **Features:**  
- High transition frequency (fT) for RF applications.  
- Low noise figure for improved signal clarity.  
- Small form factor for space-constrained designs.  
- Reliable performance in high-frequency circuits.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.