Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8062-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP Advance (8-Pin)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 8.0mΩ (Max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min), 2.5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For further details, refer to the official Toshiba datasheet.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)