Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8060-H is a Power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba (TOSHIBA-PB)  
- **Part Number:** TPCA8060-H  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The TPCA8060-H is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High-speed switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8060-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TPCA8060-H  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  
- Robust thermal performance due to TO-220AB package.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to Toshiba’s official datasheet.