Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8059-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) – 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The TPCA8059-H is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- High-speed switching performance  
- Improved avalanche energy capability  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and power supplies  

For detailed application notes or additional technical data, refer to Toshiba’s official datasheet.