Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8058-H is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 5.5mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Package:** SOP Advance (TO-252)  

### **Description:**  
The TPCA8058-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Improved thermal characteristics  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on TOSHIBA's official datasheet for the TPCA8058-H.